f
8 сентября
Открытие конференции. Пленарное заседание
10:00
Вступительное слово. Приветствие участникам конференции
Член-корр. РАН А.Д. Буланов, Академик РАН В.К. Иванов
10:15
Какое вещество можно назвать чистым?
В.П. Зломанов1, М.Ф. Чурбанов2
1– МГУ, Москва, 2– ИХВВ РАН, Н. Новгород
10:45
Химия высокочистых веществ. Достижения и тенденции развития
А.Д. Буланов1, М.Ф. Чурбанов1, О.П. Лазукина1, А.П. Котков2, А.Ю. Созин1
1– ИХВВ РАН, Н.Новгород, 2– АО «НПО «Салют», Н.Новгород
11:15
Цифровизация в химии и технологии высокочистых веществ
А.М.Бессарабов
Научный центр «Малотоннажная химия», Москва
11:50
Наука и промышленность в производстве особо чистых материалов
В.Е.Трохин, А.А.Клевцов, А.М.Бессарабов
АО «ЭКОС-1», Москва
12:25
Глубокая характеризация состава и свойств высокочистых элементов и соединений на их основе для целенаправленной оптимизации и создания новых материалов
Б.Н.Кодесс
ФБУ НИЦ «ПМ-РОСТЕСТ», Росстандарт, Москва
13:00-14:00
Обед
14:00
Математическая физикохимия получения высокочистых веществ и материалов.
А.М.Кутьин
ИХВВ РАН, Н.Новгород
14:30
Синтез и свойства материалов, полученных методом СВС
М.И.Алымов, В.В.Закоржевский
Институт структурной макрокинетики и проблем материаловедения им. А.Г.Мержанова РАН, Черноголовка
15:00
Физико-химические процессы при газопламенном осаждении аэрозольных частиц диоксида кремния
О.Г.Пенязьков
ИТМО им. А.В.Лыкова НАН Беларуси, Минск
15:30-16:00
Кофе-брейк
16:00
Обзор развития работ по получению и анализу высокочистых веществ и функциональных материалов в ИНХ СО РАН
А.И.Сапрыкин
ИНХ СО РАН, Новосибирск
16:35
Тенденции развития волоконной ИК-оптики на основе высокочистых халькогенидных стекол
М.Ф.Чурбанов1, И.В.Скрипачев1, В.Г.Плотниченко2
1–ИХВВ РАН, Н. Новгород, 2–ИОФ РАН, НЦВО, Москва